「香港飛龍」標誌 本文内容： 如果您希望可以時常見面，歡迎標星收藏哦~來源：內容編譯自pcwatch ，謝謝。2025年的IEEE國際存儲器研討會（IMW）是半導體存儲器技術研發的國際會議即將隆重召開。屆時，將會有很多領先的存儲技術發佈。據介紹，Kioxia 將報告具有 CBA（CMOS 直接鍵合到陣列）結構的 3D NAND 閃存的交叉位線 (CBL) 架構。相信這可以解釋爲什麼通過晶圓鍵合堆疊外圍電路和存儲單元陣列的CBA結構在位線佈局方面具有優勢。三星則描述了具有非圓形通道孔形狀的多孔 VNAND 閃存架構的閾值電壓建模。美光公司模擬了橢圓度（想象“孔形”）對 3D NAND 讀取窗口邊緣的影響。在最新的研究中，人們嘗試通過將通道孔的橫截面形狀製成橢圓形或半圓形而不是圓形來提高密度。這些聲明被視爲這一努力的一部分。旺宏電子國際公司（MXIC）開發了一種用於3D堆疊外圍電路的垂直通道高壓晶體管，以使1,000層和超多層3D NAND的字線驅動器小型化。三星將報告第 9 代 3D VNAND 閃存的片上電容器技術。該公司還將展示其爲未來多位 3D VNAND 開發的雙陷阱層技術成果。SanDisk Technologies 將展示用於 3D Flash 的低成本 on-pitch 選擇柵極技術。應用材料公司將報告將共形 MoS2（二硫化鉬）引入 40:1 高深寬比結構及其在 300 毫米晶圓上的 3D NAND 閃存製造中的應用。此外，MXIC 將報告由兩個 SONOS 晶體管組成的單元的“L2 範數/歐幾里得距離”計算的特性結果。對單元電池和單元陣列的特性進行了評估。Lam Research 則通過共同優化沉積和蝕刻，實現了 3D NAND 閃存的孔蝕刻和層間電介質接觸的集成。該公司還將報告用於閃存中字線金屬的鉬（Mo）原子層沉積（ALD）技術。同時MXIC 將講解一種提高具有交叉點結構的僅選擇器存儲器可靠性的技術，該公司將討論減輕尖峯電流和提高讀取壽命。 Everspin Technologies 將展示一種基於 STT-MRAM 的反熔絲宏，旨在嵌入存儲器、SoC、FPGA 等。東北大學開發出一種自旋軌道扭矩磁隨機存取存儲器（SOT-MRAM）單元技術，該技術需要的寫入能量很低，不需要外部磁場，寫入時間短至亞納秒。適用於非易失性存儲器。我們還討論了傾斜自旋軌道扭矩結構和磁各向異性的設計技術。https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/2010780.html半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4019期內容，歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時 專業 原創 深度公衆號ID：icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦 (本文内容不代表本站观点。) --------------------------------- |
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